工作磁场强度对非晶纳米晶剩余损耗的影响较为复杂，在不同磁场强度范围呈现不同的特点，具体如下：

一、低磁场强度范围

1、磁畴结构基本稳定：

       在低磁场强度下，非晶纳米晶材料内部的磁畴结构基本保持稳定，磁畴壁的移动和磁矩的转动相对较小。此时，剩余损耗主要来源于材料本身的磁后效等固有特性，由于磁畴结构没有发生明显变化，磁后效引起的剩余损耗相对较小且变化不明显。

2、磁矩有序度高：

       低磁场强度下，磁矩基本保持在原本的有序状态，只有少量磁矩会因磁场作用发生微小调整，这种调整所消耗的能量有限，因此剩余损耗处于较低水平。

二、中等磁场强度范围

1、磁畴壁开始活跃：

       随着磁场强度增加进入中等范围，磁畴壁开始受到明显的作用力，逐渐变得活跃并开始移动。磁畴壁的移动会导致磁畴之间的相互作用增强，一些不可逆的磁畴壁位移现象开始出现，使得剩余损耗逐渐增大。

2、磁滞损耗显现：

       中等磁场强度下，磁滞现象逐渐明显，材料在磁化和退磁过程中，由于磁畴的不可逆变化，会产生一定的磁滞损耗，这部分损耗会叠加到剩余损耗中，导致剩余损耗进一步增加。

三、高磁场强度范围

1、强烈的畴壁共振等现象：

       当磁场强度进一步增加到较高范围时，磁畴壁的运动更加剧烈，可能引发强烈的畴壁共振等现象。畴壁共振会使磁畴壁在短时间内快速振动和位移，消耗大量能量，导致剩余损耗急剧增大。

2、磁致伸缩效应增强：

       高磁场强度还会使非晶纳米晶材料的磁致伸缩效应显著增强，磁弹耦合作用加剧。磁致伸缩会引起材料内部的应力变化，进而影响磁畴结构和磁矩的分布，使得磁化过程中的能量损耗进一步增加，剩余损耗也随之大幅上升。

3、磁矩趋于饱和：

       在接近饱和磁场强度时，磁矩几乎全部沿磁场方向排列，磁畴结构基本消失，但此时剩余损耗仍然较高，因为在达到饱和的过程中，磁矩克服各种阻力实现定向排列消耗了大量能量，并且高磁场下的其他损耗机制，如涡流损耗等也可能同时存在，共同导致剩余损耗维持在较高水平。