应用条件控制对非晶纳米晶剩余损耗的影响主要体现在工作频率、工作温度、工作磁场强度以及负载特性等方面，以下是具体介绍：

一、工作频率

1、低频区域：

       在低频时，剩余损耗主要源于磁后效等。随着频率上升，磁后效导致的能量不可逆损耗逐渐增大，剩余损耗也随之增加，因为磁矩有更多时间跟随磁场变化，磁后效现象更显著。

2、中频区域：

       当频率达到一定值，畴壁共振和自然共振等开始起主要作用，剩余损耗可能迅速增大并出现峰值。此时交变磁场频率接近畴壁固有振动频率或磁矩自然共振频率，材料大量吸收能量，使剩余损耗急剧上升。

3、高频区域：

       在更高频率下，虽然剩余损耗会随频率进一步增加而逐渐减小，但速度较慢。这是因为在高频时，磁矩的响应速度跟不上磁场变化，畴壁运动和磁矩翻转受到限制，导致一些损耗机制的作用减弱，但同时高频下的其他损耗机制可能开始显现，限制了剩余损耗的快速下降。

二、工作温度

1、一般温度范围：

       在一定温度区间内，温度升高使非晶纳米晶材料内部热运动加剧，磁后效现象更明显，磁矩弛豫过程加快，导致剩余损耗增加。热运动干扰磁矩有序排列，使磁化过程中的能量损耗增大。

2、接近居里温度：

       当温度接近材料的居里温度时，材料磁性发生剧烈变化，磁性能大幅下降，自然共振等现象增强，剩余损耗急剧上升。此时材料的磁畴结构被严重破坏，磁矩的稳定性丧失，大量能量以损耗形式释放。

三、工作磁场强度

1、低磁场强度：

       在低磁场强度下，非晶纳米晶材料的磁畴结构基本保持稳定，剩余损耗主要由磁后效等微弱因素决定，剩余损耗相对较小且变化不明显。

2、高磁场强度：

       随着磁场强度增加，磁畴壁的运动加剧，可能引发更强烈的畴壁共振等现象，导致剩余损耗增大。而且强磁场可能使材料内部的磁致伸缩效应增强，磁弹耦合作用加剧，进一步增加剩余损耗。

四、负载特性

1、电阻性负载：

       当非晶纳米晶材料应用于电阻性负载电路中时，若负载电阻较大，电路中的电流相对较小，产生的磁场较弱，对材料的剩余损耗影响相对较小。但如果负载电阻过小，电流增大，会产生较强磁场，可能导致剩余损耗增加。

2、电感性负载：

       对于电感性负载，由于其自身的电磁特性，会使非晶纳米晶材料所处的磁场环境更加复杂。在交变电流作用下，磁场的变化频率和幅度可能会引起材料内部磁畴结构的频繁变化，更容易激发畴壁共振和自然共振等现象，从而显著增加剩余损耗。

3、脉冲负载：

       在脉冲负载条件下，电流和磁场呈现出脉冲式的变化，具有高频率、短持续时间等特点。这种情况下，非晶纳米晶材料需要在短时间内快速响应磁场变化，磁后效和磁矩的快速翻转会导致剩余损耗大幅增加，对材料的损耗特性产生较大影响。