一、化学成分与合金配比

1、合金元素种类：

       不同的合金元素对非晶纳米晶材料的磁滞损耗影响各异。如在铁基非晶纳米晶材料中，添加钴元素可降低磁晶各向异性常数，使磁畴壁移动更易，从而减少磁滞损耗；而添加某些稀土元素可能会增加矫顽力，导致磁滞损耗增大 。

2、合金元素含量：

       合金元素的含量也至关重要。合理的含量配比能优化材料的磁性能，降低磁滞损耗。例如，当硼含量在一定范围内增加时，非晶形成能力增强，可获得更均匀的非晶结构，有利于减小磁滞损耗。

二、微观结构特性

1、非晶相和纳米晶相的比例：

       非晶纳米晶材料由非晶相和纳米晶相组成。非晶相能提供相对均匀的介质，利于磁畴壁移动；纳米晶相的尺寸和分布影响磁滞损耗，当纳米晶尺寸较小且分布均匀时，晶界对磁畴壁的钉扎作用适中，既能保证一定磁导率，又可降低磁滞损耗 。

2、晶界特性：

       纳米晶材料中晶界结构和性质影响显著。晶界处原子排列混乱、能量高，在交变磁场中可作为磁畴壁的钉扎中心。若晶界结构清晰、干净，无过多杂质或缺陷，磁畴壁在晶界处的钉扎和脱钉过程顺畅，磁滞损耗降低；反之则会增大磁滞损耗 。

三、制备工艺与退火处理

1、制备工艺：

       不同制备工艺会使材料初始结构不同，进而影响磁滞损耗。如快速凝固法制备非晶材料时，冷却速度不够快会形成部分晶态结构，增加磁滞损耗；机械合金化法中的球磨参数，如球磨时间、球料比等，也会影响材料微观结构和磁滞损耗 。

2、退火处理：

       退火处理是调节非晶纳米晶材料性能的重要手段。适当退火可使非晶材料中形成纳米晶，并通过控制退火温度、时间和气氛等条件，优化纳米晶的尺寸、分布和晶界结构，从而降低磁滞损耗。但退火条件不当，如温度过高或时间过长，会导致纳米晶过度生长、晶界粗化等问题，反而增加磁滞损耗 。

四、外部环境因素

1、温度：

       温度变化会影响非晶纳米晶材料的磁性能和磁滞损耗。一般而言，温度升高，材料的磁导率会降低，矫顽力也会发生变化，进而影响磁滞损耗。在高温环境下，磁畴壁的运动更加容易，但同时也可能导致材料内部结构的变化，从而对磁滞损耗产生复杂的影响 。

2、应力：

       材料受到的应力会改变其内部的微观结构和磁畴结构，进而影响磁滞损耗。例如，在制备过程中产生的残余应力或在使用过程中受到的外部应力，都可能使磁畴壁的移动受到阻碍或促进，从而使磁滞损耗增加或减小 。

五、磁场特性

1、磁场强度：

       当磁场强度较小时，磁畴壁的移动相对较小，磁滞损耗也较小；随着磁场强度的增加，磁畴壁的移动加剧，磁滞损耗逐渐增大，直至材料达到饱和磁化状态，此时磁滞损耗达到一个相对稳定的值。

2、磁场频率：

       在低频磁场下，磁畴壁有足够的时间跟随磁场的变化而移动，磁滞损耗相对较小；随着磁场频率的升高，磁畴壁的移动跟不上磁场的快速变化，磁滞损耗会显著增加 。