退火工艺对非晶纳米晶材料的磁滞损耗影响显著，主要体现在退火温度、退火时间和退火气氛等工艺参数对磁滞损耗的作用上，具体如下：

一、退火温度的影响

1、降低磁滞损耗：

       在一定温度范围内，随着退火温度的升高，非晶纳米晶材料内部的原子获得足够能量开始重新排列，应力得到释放，磁畴结构逐渐优化，磁畴壁移动更加容易，使得材料的矫顽力降低。矫顽力的降低直接导致磁滞回线变窄，从而磁滞损耗减小。例如，对于常见的铁基非晶纳米晶合金，当退火温度从 300℃升高到 400℃时，矫顽力可能会从几十 A/m 降低到几 A/m，磁滞损耗明显下降。

2、可能增加磁滞损耗：

       当退火温度过高时，可能会导致材料过度晶化，晶粒尺寸过大，晶界等缺陷增多，反而会阻碍磁畴壁的移动，使矫顽力增大，磁滞损耗增加。而且过高的温度还可能使材料内部产生新的应力或改变相结构，进一步恶化磁性能，增加磁滞损耗。

二、退火时间的影响

1、优化磁性能降低损耗：

       在适当的退火温度下，随着退火时间的延长，原子有更充分的时间进行扩散和重排，磁畴结构进一步优化，磁滞损耗进一步降低。比如在 400℃的退火温度下，退火时间从 1 小时延长到 2 小时，材料的磁滞损耗可能会进一步降低 10% - 20%。

2、过长时间导致损耗增加：

       但退火时间过长，可能会使晶粒过度生长，磁各向异性发生变化，导致磁滞损耗不再降低甚至有所增加。同时，长时间退火还可能引入杂质或使材料表面氧化等，也会对磁性能产生不利影响，增加磁滞损耗。

三、退火气氛的影响

1、保护气氛降低损耗：

       在惰性气氛（如氩气、氮气等）中退火，可以防止材料表面氧化，保持材料表面和内部的化学均匀性，有利于磁畴壁的移动和磁性能的稳定，从而降低磁滞损耗。因为材料表面氧化会形成氧化层，影响磁畴结构和磁性能，增加磁滞损耗。

2、还原气氛改善损耗：

       在还原气氛（如氢气等）中退火，不仅可以防止氧化，还可能还原材料中的一些氧化物杂质，改善材料的微观结构，进一步降低磁滞损耗。例如，在含有少量氢气的气氛中退火，可能会使材料中的一些铁氧化物还原为铁，提高材料的磁性，降低磁滞损耗。但如果还原气氛过强，可能会导致材料中的某些元素被过度还原，影响材料的化学组成和相结构，反而对磁性能产生不利影响。