一、环形磁芯

1、低频段：

       磁滞损耗相对较小且增长缓慢。因为环形磁芯具有封闭的磁路结构，磁场均匀分布，磁畴壁移动阻力小，在低频交变磁场下，磁畴能够较为顺畅地跟随磁场变化，所以磁滞损耗较低，且频率变化对其影响不大.

2、中高频段：

       磁滞损耗随频率升高而逐渐增大，但增长速率仍相对较慢。此时，尽管磁畴壁移动依然较为有序，但由于频率升高，磁畴的翻转速度加快，磁畴壁移动的频率也相应增加，导致磁滞损耗有所上升。不过，相较于其他形状磁芯，环形磁芯的磁滞损耗增长仍较为平缓，这使其在中高频段的应用中仍具有一定优势.

3、高频及超高频段：

       当频率进一步升高达到高频及超高频范围时，磁滞损耗会加速上升。这是因为在极高频率下，磁畴壁的移动逐渐难以跟上磁场的快速变化，磁畴壁的共振等现象也可能出现，使得磁滞损耗急剧增加。但总体而言，在同等频率条件下，环形磁芯的磁滞损耗仍比其他形状磁芯低，所以在一些对高频性能要求极高的场合，如超高频变压器、滤波器等，环形非晶纳米晶磁芯仍是首选.

二、E 型磁芯

1、低频段：

       磁滞损耗相对环形磁芯较大，且随频率上升较为明显。由于 E 型磁芯存在气隙，磁场分布不均匀，磁畴壁在气隙附近受到的阻力较大，低频时磁畴壁移动就已受到一定阻碍，导致磁滞损耗偏高。随着频率的增加，这种阻碍作用对磁滞损耗的影响更为显著，损耗值上升较快.

2、中高频段：

       磁滞损耗增长速度加快，且明显高于环形磁芯。在中高频交变磁场下，磁畴壁在气隙处的钉扎和脱钉过程更加频繁，需要消耗更多能量来克服气隙带来的阻力，使得磁滞损耗大幅增加。此外，气隙处的磁场畸变也会导致磁畴结构的变化更加复杂，进一步加剧磁滞损耗.

3、高频及超高频段：

       磁滞损耗急剧上升，其增长速率远高于环形磁芯。在高频及超高频条件下，气隙对磁场的影响更为突出，磁畴壁的移动受到极大限制，大量的能量在气隙处以磁滞损耗的形式被消耗。因此，E 型磁芯在高频及超高频段的应用中，磁滞损耗问题较为突出，一般需要采取特殊的设计或补偿措施来降低损耗，如优化气隙形状、尺寸或采用磁性材料填充气隙等.

三、U 型磁芯

1、低频段：

       磁滞损耗比环形磁芯大，且随着频率的增加而较快增长。U 型磁芯的开口结构导致磁场分布不均匀，磁力线在开口处发散，使得磁芯内部磁场强度减弱且不均匀，磁畴壁移动受到干扰，从而产生较大的磁滞损耗。低频时，这种干扰就已导致磁滞损耗明显高于环形磁芯，且随着频率的升高，磁滞损耗增长更为显著.

2、中高频段：

       磁滞损耗持续快速上升，增长速度介于 E 型磁芯和环形磁芯之间。在中高频磁场下，磁畴壁在 U 型磁芯开口处及不均匀磁场中的移动更加困难，需要不断克服磁场变化带来的阻力，导致磁滞损耗进一步增大。虽然其增长速度不如 E 型磁芯快，但仍明显高于环形磁芯.

3、高频及超高频段：

       磁滞损耗迅速攀升，在高频及超高频时，磁场的快速变化使得磁畴壁在 U 型磁芯中的移动变得极为困难，大量的能量在磁畴壁的移动过程中被损耗。尽管其损耗增长速度在高频段稍低于 E 型磁芯，但仍然处于较高水平，限制了 U 型磁芯在高频及超高频领域的应用，除非采取有效的措施来改善其磁场分布和磁畴壁移动特性.

四、柱形磁芯

1、低频段：

       磁滞损耗比环形磁芯略大，其增长趋势相对平缓。柱形磁芯的磁场主要沿轴向分布，但端部存在磁场发散现象，这使得磁畴壁在端部的移动受到一定影响，从而导致低频下磁滞损耗比环形磁芯稍高。不过，由于其整体结构相对简单，磁场均匀性优于 E 型和 U 型磁芯，所以低频时磁滞损耗的增长相对较慢.

2、中高频段：

       磁滞损耗随频率升高而逐渐增大，且增长速度加快。在中高频磁场作用下，柱形磁芯端部的磁场发散对磁畴壁移动的影响逐渐凸显，磁畴壁在端部的移动需要消耗更多能量，导致磁滞损耗上升。同时，随着频率的增加，磁畴壁在整个柱形磁芯中的移动也受到一定干扰，使得磁滞损耗的增长速度加快，但仍低于 E 型和 U 型磁芯.

3、高频及超高频段：

       滞损耗快速上升，但上升速率低于 E 型和 U 型磁芯。在高频及超高频条件下，柱形磁芯端部的磁场畸变和磁畴壁移动困难等问题加剧，磁滞损耗迅速增加。不过，相比之下，其在高频及超高频段的磁滞损耗增长相对较为缓和，在一些对形状要求简单且频率要求不是极高的高频应用中，柱形磁芯仍有一定的应用空间。