一、成分优化

1、合金元素调整：

       在钴基非晶纳米晶合金中合理添加其他元素可以改善磁性能。例如，添加适量的铁（Fe）元素可以调节饱和磁化强度。因为铁具有较高的饱和磁化强度，适当的铁含量可以在一定程度上提高钴基磁芯的饱和磁化强度，同时又不会过度影响其原本优良的软磁性能，如低矫顽力和高磁导率。

2、稀土元素掺杂：

       稀土元素如钕（Nd）、镨（Pr）等的少量掺杂可以细化晶粒。这些稀土元素在合金凝固和晶化过程中，会聚集在晶界周围，阻碍晶粒的长大，从而使纳米晶尺寸更加均匀细小。较小的晶粒尺寸有利于降低磁晶各向异性，进而提高磁导率，并且可以使磁滞回线更加狭窄，减少磁滞损耗。

二、制备工艺优化

1、熔体快淬工艺改进：

（1）优化冷却速度：

       在熔体快淬法制备钴基非晶纳米晶磁芯时，冷却速度至关重要。通过提高冷却速度，可以更有效地抑制晶体的生长，形成更加均匀的非晶态结构。例如，采用更高的辊速或者优化淬火介质，使冷却速度达到 10⁶K/s 以上，能够更好地保证非晶态的形成，为后续的纳米晶化过程提供良好的基础，有利于提高磁性能。

（2）控制熔体温度和成分均匀性：

       精确控制熔体温度，确保合金成分在熔化状态下的均匀性，对于形成高质量的非晶纳米晶结构也非常关键。如果熔体温度过高或者成分不均匀，可能会导致晶体在快淬过程中优先在某些区域生长，影响磁芯的整体磁性能。

2、热处理工艺优化：

（1）选择合适的退火温度和时间：

       热处理是调节钴基非晶纳米晶磁芯磁性能的重要手段。合适的退火温度和时间可以促使非晶态合金部分晶化，形成均匀分布的纳米晶。例如，在 400 - 500℃的温度范围内进行适当时间的退火处理，可以使纳米晶的尺寸和分布达到最佳状态，提高磁导率。退火时间过长可能会导致晶粒长大，而过短则可能无法充分形成纳米晶，都会对磁性能产生不利影响。

（2）磁场下退火：

       在磁场环境中进行退火处理，可以使磁畴在形成过程中沿着磁场方向排列，减少磁畴壁的钉扎，从而提高磁导率。磁场强度一般根据材料的特性和目标磁性能来确定，通常在几百奥斯特到几千奥斯特之间。这种磁场下退火的方法能够进一步优化钴基非晶纳米晶磁芯的磁性能，使其在高频应用等场景中表现更优。

三、微观结构控制

1、细化晶粒尺寸：

       除了通过成分优化和热处理工艺来细化晶粒外，还可以采用一些物理方法，如机械合金化或者高能球磨等手段，在一定程度上细化晶粒。这些方法可以使晶粒尺寸减小到纳米级别，并且使晶粒分布更加均匀。均匀细小的晶粒结构有助于降低磁晶各向异性，提高磁导率和降低矫顽力。

2、改善纳米晶相分布：

       通过优化制备工艺，使纳米晶相在非晶相中更加均匀地分布。例如，在热处理过程中，采用分步退火或者梯度退火的方法，让纳米晶的形成过程更加可控，避免纳米晶的团聚或者局部富集，从而提高磁芯的整体磁性能。良好的纳米晶相分布可以使磁畴壁在材料内部移动更加顺畅，有利于提高磁导率和降低磁滞损耗。