硅钢片铁损高且磁感低，本质是材料成分、微观结构或生产工艺未达到优化标准，导致 “导磁能力弱” 与 “能量损耗大” 同时出现，常见于成分失衡、工艺管控不当或使用场景不匹配。

一、材料成分失衡：核心性能基础缺陷

1、硅（Si）、铝（Al）含量不足（低于 3.0%）：

       硅和铝是提升电阻率、降低涡流损耗的关键元素，含量不够会导致电阻率偏低，涡流损耗直接升高；同时会降低磁导率，使磁感（B 值）无法提升。

2、杂质含量过高（C、S、P 等＞0.005%）：

       杂质会成为磁畴运动的 “阻碍物”，既增大磁滞损耗（铁损升高），又破坏磁畴有序排列，导致磁感下降。

3、晶粒尺寸异常（＜30μm 或＞100μm）：

       晶粒过细会增加磁畴壁数量，磁滞损耗上升；晶粒过粗则磁导率降低，磁感难以提升，且两者都会导致铁损高、磁感低的双重问题。

二、生产工艺管控不当：性能优化环节失效

1、退火工艺不当（温度 / 保温时间不足）：

       未达到 850-1050℃的高温退火标准，或保温时间＜2 小时，无法实现晶粒细化和应力消除，磁畴排列杂乱 —— 磁畴壁运动阻力大（铁损高），导磁路径不畅（磁感低）。

2、冷轧工艺精度不足：

       冷轧道次或压下量控制不当，导致硅钢片织构紊乱（无取向硅钢各向异性明显），既降低导磁均匀性（磁感低），又增加磁滞损耗（铁损高）。

3、表面涂层缺陷：

       绝缘涂层厚度不均、附着力差，或冲裁后毛刺过大，会导致片间短路，增加横向涡流损耗（铁损高）；同时涂层缺陷可能影响磁路连续性，间接降低磁感。

4、磁畴细化工艺缺失：

       未进行激光刻痕、机械冲槽等处理，磁畴宽度过大（＞20mm），反常损耗和磁滞损耗升高，且磁畴排列灵活性不足，磁感提升受限。

三、使用与结构设计不匹配：放大性能缺陷

1、工作温度长期超 80℃：

       高温会使硅钢磁导率下降，磁感进一步降低；同时虽涡流损耗略有下降，但磁滞损耗上升更明显，总铁损仍偏高。

2、磁密工作点不合理（接近饱和区或过低）：

       磁密接近饱和区（无取向硅钢＞1.7T）会导致铁损指数级上升，且饱和后磁感无法继续提升；磁密过低则无法充分利用导磁能力，表现为磁感 “看似偏低”，同时铁损占比仍较高。

3、叠片工艺不佳（叠片系数＜0.94）：

       叠片松散、间隙过大，会增加磁阻，导致磁感下降；同时间隙可能引发局部涡流，叠加铁损升高的问题。