一、物理屏蔽：阻断外部磁场侵入

       通过高磁导率或高导电材料构建屏蔽空间，衰减外部磁场强度，适用于恒定磁场和低频交变磁场：

1、高磁导率材料屏蔽：

       使用坡莫合金（μ≈10⁴-10⁵）、纯铁或纳米晶合金等材料制作屏蔽罩（通常为多层结构，内层坡莫合金 + 外层低碳钢），利用材料对磁场的 “短路” 效应（磁场优先通过高磁导率材料），可将外部磁场衰减至原强度的 1/100-1/1000。例如，对 100μT 的地磁场，三层坡莫合金屏蔽后可降至 0.1μT 以下，满足软磁材料（Hc≈10-100A/m）的测量需求。

2、高导电材料屏蔽：

       对高频交变磁场（如射频干扰），采用铜、铝等良导体制作屏蔽壳，利用电磁感应产生涡流，抵消入射磁场，衰减效果随频率升高增强（对 1kHz 以上磁场衰减可达 20-40dB），可减少电机、无线电设备的高频磁场干扰。

二、主动补偿：抵消剩余干扰磁场

       针对无法完全屏蔽的磁场（如地磁场），通过主动施加反向磁场抵消，实现 “零磁场” 环境：

1、地磁场补偿：

       在屏蔽空间内安装三维亥姆霍兹线圈（X、Y、Z 轴），通过霍尔传感器实时监测残余磁场，由控制系统调节线圈电流，产生与地磁场大小相等、方向相反的补偿磁场。例如，测量时将残余磁场控制在 ±1μT 以内，可使地磁场对软磁材料矫顽力的误差降至 1% 以下。

2、工频磁场补偿：

       针对 50/60Hz 的电网交变磁场，采用锁相放大技术检测干扰频率，通过交变补偿线圈输出反向工频磁场（相位差 180°），可将工频磁场干扰衰减至原强度的 1/10，减少磁滞回线的周期性波动。

三、测量系统布局优化：减少干扰源耦合

       通过合理规划仪器与环境的相对位置，降低外部磁场的耦合强度：

1、远离强磁场源：

       将测量系统布置在远离电机、变压器、永磁体等设备的区域（间距至少 5-10 米），避免静态或交变磁场直接辐射。例如，距离 1 台 10kW 电机 3 米处，交变磁场强度可达 5μT，而 10 米外可降至 0.1μT 以下。

2、磁化方向校准：

       使样品磁化方向与地磁场方向平行或垂直（根据测量模式），减少地磁场的矢量叠加误差。例如，测量硬磁材料时，若样品轴向与地磁场平行，可避免垂直方向的分量干扰；软磁材料测量则需通过方位调整使地磁场在测量平面内的分量最小化。

四、信号处理：从数据层面抑制干扰

       通过电路和算法优化，削弱磁场干扰对测量信号的影响：

1、滤波技术：

       在信号采集电路中加入低通滤波器（截止频率＜10Hz），滤除工频（50/60Hz）及高频（如射频）磁场干扰；对周期性干扰，采用带阻滤波器（如 50Hz 陷波器），可将干扰信号幅度降至原有的 1/100。

2、锁相放大：

       利用锁相放大器提取与励磁信号同频同相的磁信号，抑制噪声和异频磁场干扰（如非 50Hz 的杂散磁场），信噪比可提升 100-1000 倍，尤其适用于微弱信号（如纳米晶软磁材料的低矫顽力测量）。

3、数据平滑与校正：

       通过多次测量取平均值（通常 3-5 次）降低随机磁场干扰的影响；若已知环境磁场强度（如通过实时监测），可在数据处理中直接扣除干扰值，进一步提高精度。

       通过上述方法的组合应用（如 “屏蔽罩 + 亥姆霍兹线圈补偿 + 锁相放大”），可将环境磁场对矫顽力测量的影响控制在 ±1% 以内，满足高精度测量（如磁性材料研发、质量检测）的需求。实际操作中需根据材料类型（硬磁 / 软磁）、测量设备（VSM、B-H 仪等）及环境干扰强度，选择针对性方案。