一、低温区域

1、磁畴运动受限：

       在低温环境下，原子的热运动减弱，纳米晶带材内部的磁畴运动受到一定限制。这使得磁畴在磁场作用下的转向和移动变得困难，磁化和去磁化过程不像在室温下那样容易进行，从而导致磁滞损耗相对增加。

2、磁畴壁钉扎增强：

       低温时，材料内部的晶格缺陷、杂质等对磁畴壁的钉扎作用增强。磁畴壁在移动过程中需要克服更大的阻力，这进一步阻碍了磁畴的有序排列和反转，使得磁滞损耗有所上升 。

二、室温及附近温度区域

1、最佳工作温度范围：

       对于大多数纳米晶带材来说，室温及附近温度是其性能表现较好的区域。在此温度范围内，原子热运动既不会过于强烈而导致磁畴无序，也不会过于微弱而限制磁畴运动。

2、磁滞损耗稳定且较低：

       磁畴能够较为顺畅地在磁场作用下进行转向和排列，磁畴壁的移动阻力相对较小，因此磁滞损耗处于一个相对稳定且较低的水平，这也是纳米晶带材在众多室温环境下的电子设备中广泛应用的原因之一。

三、高温区域

1、接近居里温度前：

       随着温度升高，原子热运动加剧，纳米晶带材内部的磁畴变得更加活跃，磁畴壁的移动阻力减小，磁畴更容易在磁场作用下转向和排列整齐，磁化和去磁化过程变得相对容易，所以磁滞损耗会逐渐降低。

2、超过居里温度：

       当温度超过纳米晶带材的居里温度时，材料的磁性会发生急剧变化，磁畴结构被严重破坏，磁性消失或大幅减弱。此时，磁滞损耗不再遵循常规规律，而是会急剧增加，材料的磁性能也会变得极不稳定，无法正常发挥其在电磁设备中的作用 。