影响磁芯损耗的关键因素主要分为材料固有属性和外部工作条件两大类，其中外部条件中的频率和磁通密度对损耗的影响最为显著。

一、外部工作条件：直接决定损耗大小的核心变量

       这是设计中可直接调控的因素，对损耗的影响具有明确的量化关系。

1、磁场变化频率（f）：频率是影响损耗的第一关键因素。

       磁滞损耗与频率的一次方成正比，频率翻倍，磁滞损耗基本翻倍。

       涡流损耗与频率的平方成正比，频率翻倍，涡流损耗会增至 4 倍，高频下此效应尤为突出。

2、磁通密度峰值（Bₘ）：是损耗的另一核心驱动因素。

       磁滞损耗与 Bₘ的 1.6-2.5 次方成正比，Bₘ越高，损耗增长越快。

       涡流损耗与 Bₘ的平方成正比，Bₘ的微小提升都会导致涡流损耗明显增加。

3、工作温度（T）：通过改变材料特性间接影响损耗。

       多数磁芯材料（如铁氧体）存在 “最低损耗温度点”（通常在 60-100℃），温度偏离该点（过高或过低），损耗都会上升。

       温度升高会降低材料电阻率，可能导致涡流损耗增加；同时也可能使磁滞回线面积变化，影响磁滞损耗。

二、 材料固有属性：决定损耗基础水平的先天条件

       不同材料的损耗特性差异极大，是选型时的首要考虑因素。

1、磁滞特性：由材料的磁畴结构决定，用磁滞回线面积衡量。

       软磁材料（如铁氧体、纳米晶）的磁滞回线窄，磁滞损耗低；硬磁材料（如永磁体）回线宽，损耗高，不适合高频交变场景。

2、电阻率（ρ）：直接影响涡流损耗大小。

       电阻率越高，涡流在材料中流动的阻力越大，涡流损耗越低。例如铁氧体（ρ≈10⁴-10⁶ Ω・cm）的电阻率远高于硅钢片（ρ≈0.1-0.5 Ω・cm），因此高频下更适合用铁氧体。

3、磁导率（μ）：间接影响损耗，高磁导率材料在相同磁通密度下所需磁场强度更低，但部分高磁导率材料的高频损耗可能更高。

三、结构与工艺：通过物理形态优化损耗的后天手段

       合理的结构设计可大幅降低实际应用中的损耗，尤其针对涡流损耗。

1、磁芯几何与尺寸：

       磁芯厚度（或粒径）：涡流损耗与厚度的平方成正比，因此高频磁芯多采用薄片叠层（如硅钢片）或细粉末压制（如金属磁粉芯），减小涡流路径。

       磁路长度与截面积：磁路过长会增加磁阻，可能导致局部磁通密度升高；截面积不足也会使 Bₘ增大，两者均会间接增加损耗。

2、加工工艺：

       绝缘处理：叠层磁芯的薄片间需涂覆绝缘漆，粉末磁芯需添加绝缘粘结剂，以阻断涡流通道。

       气隙设计：气隙不均匀会导致局部磁场集中，使 Bₘ升高，增加损耗；因此气隙加工需保证厚度一致、位置对称。