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 MATS-3010SA軟磁材料動態量測
MATS-3010SA軟磁材料動態量測
  MATS-3010SA軟磁材料動態量測裝置是基於computer(電腦)、Software軟件、A/D資料獲取和ARM嵌入式系統等技術應用條件下的專業磁量測設備。MATS-3010SA軟磁材料動態量測裝置運用數位波形補償和數位迴響科技,可準確量測軟磁鐵氧、坡莫合金、非晶/納米晶和矽鋼等軟磁材料在1kHz°200kHz頻率範圍內的交流磁性參數:比總損耗Ps、比視在功率Ss、振幅磁導率,以及交流磁化曲線和損耗曲線。

主要特點 技術參數 軟件介面  

裝置技術指標
  依據國標GB/T 3658-2008,在20Hz∼20kHz頻率下,測量坡莫合金環形試樣,技術指標如下:
  被測參數 Ps(%) μa(%) δ(%) Bm(%) Hm(%)
  不確定度(k=2) 3 3 - 1 1
  重複性(皕) ± 1.5 ± 1.5 ± 1.5 ± 0.5 ± 0.5
  備註     1.試樣應為薄壁環,外徑/內徑<1.4。
    2.鎖B測試,且Bm=100mT∼200mT;測試前應先退磁,退磁場頻率≤測試頻率。
    3.不確定度為“-”,表示國標中不要求。

  依據國標GB/T 19346-2003,在20kHz∼100kHz頻率下,測量非晶環形試樣,技術指標如下:
  被測參數 Ps(%) Ss(%) μa(%) δ(%) Bm(%) Hm(%)
  不確定度(k=2) 5 5 3 - 1 2
  重複性(皕) ± 3 ± 2.5 ± 2 ± 2 ± 0.5 ± 1
  備註     1.試樣應為薄壁環,外徑/內徑≤1.5。
    2.鎖B測試,且Bm=100mT∼200mT;測試前應先退磁,退磁場頻率≤測試頻率。
    3.不確定度為“-”,表示國標中不要求。

  依據軍標SJ 20966-2006,在20Hz∼100kHz頻率下,測量鐵氧體環形試樣,技術指標如下:
  被測參數 Ps(%) μa(%) δ(%) Bm(%) Br(%) Hc(%)
  不確定度(k=2) 5 3 - 1 - -
  重複性(皕) ± 3 ± 2 ± 2 ± 0.5 ± 1 ± 1
  備註     1.試樣應為薄壁環,外徑/內徑≈1.67。
    2.鎖B測試,且Bm=100mT∼200mT;測試前應先退磁,退磁場頻率≤測試頻率。
    3.不確定度為“-”,表示國標中不要求。

硬體技術參數
 MATS-2010SA/100k 軟磁交流測量裝置    MATS-2010SA/200k 軟磁交流測量裝置
    輸出功率:500VA正弦波
    頻率範圍:5kHz∼100kHz
    頻率細度:< 0.1%×當前值
    頻率誤差:< 0.05%
    輸出電壓:0∼50V∼100V∼150V∼300V,
              四檔自動量程
    電壓細度:程式控制1mV,面板 < 0.1%×當前量程
    電壓失真度:優於0.5%
    電壓穩定度:優於0.1%
    電流採樣:6.33mA∼20A,八檔自動量程
    電壓採樣:1V∼316V,六檔自動量程
    輸出功率:300VA正弦波(100kHz以下)
    頻率範圍:20Hz∼200kHz
    頻率細度:< 0.1%×當前值
    頻率誤差:< 0.05%
    輸出電壓:0∼50V(峰值)
    電壓細度:程式控制1mV,面板 < 10mV
    電壓失真度:優於1%
    電壓穩定度:優於0.1%
    電流採樣:0∼15A
    電壓採樣:0∼50V
 MATS-2010SA/300k 軟磁交流測量裝置  MATS-2010SA/500k 軟磁交流測量裝置
    輸出功率:200VA正弦波
    頻率範圍:1kHz∼300kHz
    頻率細度:< 0.1%×當前值
    頻率誤差:< 0.05%
    輸出電壓:0∼50V(峰值)
    電壓細度:程式控制1mV,面板 < 10mV
    電壓失真度:優於0.5%
    電壓穩定度:優於0.1%
    電流採樣:0∼10A
    電壓採樣:0∼50V
    輸出功率:200VA正弦波(300kHz以下)
    頻率範圍:1kHz∼500kHz
    頻率細度:< 0.1%×當前值
    頻率誤差:< 0.05%
    輸出電壓:0∼50V(峰值)
    電壓細度:程式控制1mV,面板 < 10mV
    電壓失真度:優於1%
    電壓穩定度:優於0.1%
    電流採樣:0∼10A
    電壓採樣:0∼50V
 PC6684 A/D卡  PC5012 A/D卡
    採樣速率:40MHz×2通道
    解析度和線性度:12Bit±1/2LSB
    電壓量程:±1V(滿量程)
    採樣時標:25ns∼800ns硬體時標
    記憶體容量:512kByte×2
    採樣速率:50MHz×2通道
    解析度和線性度:12Bit±1/2LSB
    電壓量程:±0.1V∼±20V(滿量程)
    採樣時標:20ns∼5ms硬體時標
    記憶體容量:4MByte×2