 |
MATS-3010SA軟磁材料動態量測 |
 |
|
|
![]()
| MATS-3010SA軟磁材料動態量測裝置是基於computer（電腦）、Software軟件、A/D資料獲取和ARM嵌入式系統等技術應用條件下的專業磁量測設備。MATS-3010SA軟磁材料動態量測裝置運用數位波形補償和數位迴響科技，可準確量測軟磁鐵氧、坡莫合金、非晶/納米晶和矽鋼等軟磁材料在1kHz°200kHz頻率範圍內的交流磁性參數：比總損耗Ps、比視在功率Ss、振幅磁導率，以及交流磁化曲線和損耗曲線。 |
|
|
|
|
|
裝置技術指標
依據國標GB/T 3658-2008，在20Hz∼20kHz頻率下，測量坡莫合金環形試樣，技術指標如下：
| 被測參數 |
Ps(%) |
μa(%) |
δ(%) |
Bm(%) |
Hm(%) |
| 不確定度(k=2) |
3 |
3 |
- |
1 |
1 |
| 重複性(恒溫) |
± 1.5 |
± 1.5 |
± 1.5 |
± 0.5 |
± 0.5 |
| 備註 |
1.試樣應為薄壁環，外徑/內徑＜1.4。
2.鎖B測試，且Bm=100mT∼200mT；測試前應先退磁，退磁場頻率≤測試頻率。
3.不確定度為“-”，表示國標中不要求。 |
依據國標GB/T 19346-2003，在20kHz∼100kHz頻率下，測量非晶環形試樣，技術指標如下：
| 被測參數 |
Ps(%) |
Ss(%) |
μa(%) |
δ(%) |
Bm(%) |
Hm(%) |
| 不確定度(k=2) |
5 |
5 |
3 |
- |
1 |
2 |
| 重複性(恒溫) |
± 3 |
± 2.5 |
± 2 |
± 2 |
± 0.5 |
± 1 |
| 備註 |
1.試樣應為薄壁環，外徑/內徑≤1.5。
2.鎖B測試，且Bm=100mT∼200mT；測試前應先退磁，退磁場頻率≤測試頻率。
3.不確定度為“-”，表示國標中不要求。 |
依據軍標SJ 20966-2006，在20Hz∼100kHz頻率下，測量鐵氧體環形試樣，技術指標如下：
| 被測參數 |
Ps(%) |
μa(%) |
δ(%) |
Bm(%) |
Br(%) |
Hc(%) |
| 不確定度(k=2) |
5 |
3 |
- |
1 |
- |
- |
| 重複性(恒溫) |
± 3 |
± 2 |
± 2 |
± 0.5 |
± 1 |
± 1 |
| 備註 |
1.試樣應為薄壁環，外徑/內徑≈1.67。
2.鎖B測試，且Bm=100mT∼200mT；測試前應先退磁，退磁場頻率≤測試頻率。
3.不確定度為“-”，表示國標中不要求。 |
硬體技術參數
| MATS-2010SA/100k 軟磁交流測量裝置 |
|
MATS-2010SA/200k 軟磁交流測量裝置 |
輸出功率：500VA正弦波
頻率範圍：5kHz∼100kHz
頻率細度：< 0.1%×當前值
頻率誤差：< 0.05%
輸出電壓：0∼50V∼100V∼150V∼300V，
四檔自動量程
電壓細度：程式控制1mV，面板 < 0.1%×當前量程
電壓失真度：優於0.5%
電壓穩定度：優於0.1%
電流採樣：6.33mA∼20A，八檔自動量程
電壓採樣：1V∼316V，六檔自動量程 |
輸出功率：300VA正弦波（100kHz以下）
頻率範圍：20Hz∼200kHz
頻率細度：< 0.1%×當前值
頻率誤差：< 0.05%
輸出電壓：0∼50V（峰值）
電壓細度：程式控制1mV，面板 < 10mV
電壓失真度：優於1%
電壓穩定度：優於0.1%
電流採樣：0∼15A
電壓採樣：0∼50V |
| MATS-2010SA/300k 軟磁交流測量裝置 |
MATS-2010SA/500k 軟磁交流測量裝置 |
輸出功率：200VA正弦波
頻率範圍：1kHz∼300kHz
頻率細度：< 0.1%×當前值
頻率誤差：< 0.05%
輸出電壓：0∼50V（峰值）
電壓細度：程式控制1mV，面板 < 10mV
電壓失真度：優於0.5%
電壓穩定度：優於0.1%
電流採樣：0∼10A
電壓採樣：0∼50V
|
輸出功率：200VA正弦波（300kHz以下）
頻率範圍：1kHz∼500kHz
頻率細度：< 0.1%×當前值
頻率誤差：< 0.05%
輸出電壓：0∼50V（峰值）
電壓細度：程式控制1mV，面板 < 10mV
電壓失真度：優於1%
電壓穩定度：優於0.1%
電流採樣：0∼10A
電壓採樣：0∼50V |
| PC6684 A/D卡 |
PC5012 A/D卡 |
採樣速率：40MHz×2通道
解析度和線性度：12Bit±1/2LSB
電壓量程：±1V（滿量程）
採樣時標：25ns∼800ns硬體時標
記憶體容量：512kByte×2 |
採樣速率：50MHz×2通道
解析度和線性度：12Bit±1/2LSB
電壓量程：±0.1V∼±20V（滿量程）
採樣時標：20ns∼5ms硬體時標
記憶體容量：4MByte×2 | |
|
|
|
|
|
|
